新型非易失性存储器技术的展望

何亮 教授

2026年5月15日15:00

随着人工智能、5G通信、物联网（IoT）及工业4.0等技术的迅猛发展，全球数据量正呈指数级爆发式增长，海量数据的存储与处理对存储器的容量、速度、耐久性及能效提出了前所未有的更高要求。传统闪存技术正逼近其物理极限，研发下一代非易失性存储器已迫在眉睫。最近几年，各种新型存储器件不断地从实验室走向商业应用。本次报告将系统介绍磁随机存储器（MRAM）在前沿科学与商业制造领域的最新进展。MRAM以其高速写入、低功耗、非易失性及近乎无限的读写耐久性等独特优势，被视为最具潜力的新型存储器之一，近年来在自旋转移矩（STT-MRAM）和自旋轨道矩（SOT-MRAM）等关键技术方向取得了突破性进展，正逐步从嵌入式存储走向通用计算存储市场。

何亮，南京大学电子科学与工程学院教授，博士生导师。何亮教授是微电子学和固体电子学领域的优秀学者，在清华大学获得理学和管理学双学士，在美国北卡罗来纳大学教堂山分校获博士学位。2014年入选国家级人才计划，2016年获得江苏省双创人才计划。何亮教授长期从事新型半导体薄膜材料生长，通过光、电、磁、输运等先进手段，研究材料的物理性质和自旋电子微纳原型器件。何亮教授负责/参与了国家重点研发计划、国家重大装备计划、973计划、军委科技委装备项目、国家自然科学重点项目等多项国家重大项目;发表SCl论文180余篇，主要著作包括，Nature Nanotechnology 1篇, Nature Materials 1 篇, NC 3篇Nano Letters 10篇，ACS Nano 7篇，PRL 3篇等等，总引用6000余次，H因子33。

撰写：王超

排版：陈仕发

一审一校：任露洋

二审二校：马将

三审三校：郑纯